MoSys公司成立于 1991 年， 始于 1-T（晶体管）存储器 IP 的开发。1 T-SRAM 的访问速度接近 SRAM，但其支持的密度接近 RLDRAM。大多数存储器制造商都将注意力集中在存储器的速度或密度上，并认为一个尺寸就会适合所有。作为 MoSys 存储器发展的一部分，在许多系统中完成的常见任务被识别并作为存储器内置功能添加到内存中，以加快执行速度。这创建了加速器引擎系列。MoSys充分利用其在软件、硬件和技术方面的优势，致力于提供灵活、高度集成的存储半导体解决方案，以满足目标市场应用和智能信息包处理快速增长的需求。MoSys代理营销网络遍布全球，为客户提供优质便捷的本地化支持服务...